CeNd_xO_y:Eu³⁺纳米管阵列可控制备及荧光特性

更新时间:2023-05-28

【摘要】依据化学共沉积原理,在阳极氧化铝（AAO）纳米阵列孔模板中,用负压抽滤法可控合成了CeNdxOy:Eu3+纳米管阵列结构材料.分别用SEM,TEM,XRD,SAED对其形貌、结构进行表征,并以EDS谱和荧光光谱仪（FL）测定该纳米管结构的元素组成和荧光性能.结果表明:CeNdxOy:Eu3+纳米管阵列材料为非晶结构,其纳米管阵列形貌与AAO模板纳米孔阵列结构一致.在室温下,以450 nm波长光激发CeNdxOy:Eu3+纳米管阵列,分别在516 nm和777 nm出现荧光发射峰,其荧光强度与Eu3+掺杂量有关,当Eu3+掺杂质量比为6%时,其荧光强度最强.

【关键词】 AAO模板 纳米管阵列 3+掺杂 MDg3NjRCckNqQjFNSVMyd3FGZXdNRFgweHkyQVJuRGtQUFFucnFIMDNlYkNVUmJPZlpPZHVGaURuV2c9PUlCajE=) &#xA ">Eu3+掺杂 荧光性能

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